时间：2025/6/11 12:50:50
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LQG15HS2N7B02D 是由罗姆（ROHM）公司生产的一款高频、高效率的 N 沟道功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、DC-DC 转换器以及负载开关等场景。该器件采用超小型 CSP（Chip Scale Package）封装技术，具备低导通电阻和极佳的热性能，非常适合便携式设备及空间受限的应用场合。
这款芯片采用了先进的制造工艺，使得其在高频工作条件下仍能保持高效的性能表现，同时降低了系统的整体功耗。此外，其出色的可靠性和稳定性也使其成为众多设计工程师的理想选择。
型号：LQG15HS2N7B02D
品牌：ROHM
类型：N 沟道功率 MOSFET
封装：CSP
Vds（漏源电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：2.6mΩ（典型值，Vgs=10V）
Id（连续漏极电流）：24A
栅极电荷：19nC（典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
fT（特征频率）：36MHz
LQG15HS2N7B02D 具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。
2. 高效的开关性能，支持高频应用，减少磁性元件体积。
3. 小型化封装设计，节省 PCB 空间，特别适合便携式电子设备。
4. 优秀的热性能，能够在高功率密度下稳定运行。
5. 支持宽广的工作温度范围，确保在恶劣环境下的可靠性。
6. 栅极驱动电压较低，易于与逻辑电路配合使用。
7. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
LQG15HS2N7B02D 广泛适用于以下领域：
1. 开关电源适配器和充电器。
2. DC-DC 转换器模块，包括降压和升压转换。
3. 负载开关和电池保护电路。
4. 汽车电子中的电机控制和负载切换。
5. 便携式设备如智能手机、平板电脑等的电源管理。
6. LED 驱动器和其他需要高效功率转换的应用场景。
LQG15HS2N7B02DTR
LQG15HS2N7B02DP
RT8212GPLU
SiS830ED-T1-E3
