时间：2025/5/10 14:33:54
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LQG15HS1N5S02D 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的功率 MOSFET 芯片，属于沟槽型 MOSFET 产品系列。该器件采用小型封装设计，适合用于高效能开关应用场合，例如 DC-DC 转换器、开关电源以及负载开关等。其出色的导通电阻和快速的开关性能使其成为高性能功率转换的理想选择。
这款 MOSFET 的核心优势在于低导通电阻和优化的栅极电荷特性，能够有效降低功耗并提升整体系统效率。同时，它还具备较高的雪崩耐量能力，确保在异常工作条件下的可靠性。
类型：N-Channel MOSFET
封装：LFPAK8
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：15A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ (典型值，Vgs=10V)
栅极电荷(Qg)：32nC (典型值)
输入电容(Ciss)：1940pF (典型值)
输出电容(Coss)：48pF (典型值)
反向传输电容(Crss)：28pF (典型值)
结温范围：-55℃ to +175℃
LQG15HS1N5S02D 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗，从而提高效率。
2. 高效的开关性能，源于其较低的栅极电荷（Qg）和优化的动态特性。
3. 小型化的 LFPAK8 封装，节省 PCB 空间且支持高功率密度的应用。
4. 符合汽车级标准（AEC-Q101 认证），适用于严苛环境下的功率管理。
5. 提供优秀的热性能，便于散热设计。
6. 在宽温度范围内保持稳定的电气性能，适合工业及汽车领域的各种应用。
LQG15HS1N5S02D 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 汽车电子系统的负载开关和电机驱动。
3. 工业设备中的逆变器和变频器控制。
4. 笔记本电脑适配器和其他消费类电子产品的电源管理系统。
5. 电池保护电路以及能量回收系统。
由于其高可靠性和低功耗特点，该器件特别适合需要高效率和紧凑设计的场景。
LQG15HS1N5S02DS
LQG15HS1N5S02DK
