时间：2025/5/12 20:44:42
阅读：8
LQG15HS1N5B02D是一款由罗姆（ROHM）公司生产的功率MOSFET芯片，属于LQG系列。该器件采用TSON-6封装形式，具有高效率、低导通电阻和快速开关特性，非常适合应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等电力电子领域。其设计主要针对需要高效能和小体积的应用场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：15A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：13nC
开关速度：快速
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TSON-6
LQG15HS1N5B02D具有非常低的导通电阻，能够显著减少导通损耗，从而提高整体系统效率。
它还具备快速开关性能，有助于降低开关损耗，并且在高频应用中表现优异。
该器件采用了先进的制造工艺，确保了良好的热稳定性和可靠性。
TSON-6封装不仅小巧，而且具备出色的散热性能，非常适合空间受限的设计。
此外，其宽广的工作结温范围使得该芯片能够在各种严苛环境下正常运行。
LQG15HS1N5B02D广泛应用于消费电子、工业设备以及汽车电子等领域。
典型应用场景包括但不限于：
- 开关电源适配器
- DC-DC转换器模块
- 电池管理系统（BMS）中的充放电控制
- 小型电机驱动电路
- 各类高效能电源管理方案
由于其卓越的性能，该芯片特别适合追求高效率和小型化的设计。
LQG15HS1N5B02DP
LQG15HS1N5B02DS
IRF3710
STP15NF06L
