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DMP21D0UT-7 发布时间 时间:2025/5/15 18:16:41 查看 阅读:30

DMP21D0UT-7 是一款 N 沣道通态 MOSFET,采用微型 SOT-23 封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种高效能应用场合。它通常被用作功率开关或负载开关,在便携式设备、电源管理以及信号切换等场景中表现优异。
  这款 MOSFET 的设计使其能够在较低的电压下实现高效的电流传输,同时保持较低的功耗,非常适合对尺寸敏感的应用环境。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:3.8A
  导通电阻(典型值):55mΩ
  栅极电荷:4nC
  工作温度范围:-55℃ 至 150℃
  封装类型:SOT-23

特性

DMP21D0UT-7 提供了非常低的导通电阻,这有助于减少传导损耗并提高整体效率。其小型化的 SOT-23 封装使得该元件非常适合空间受限的设计项目。
  此外,该器件还具备快速开关性能,可以有效降低开关过程中的能量损失。由于其良好的热稳定性和宽泛的工作温度范围,DMP21D0UT-7 能够适应各种严苛的工作环境。
  该产品还支持高频操作,并且拥有出色的 ESD 防护能力,确保在实际应用中的可靠性。

应用

DMP21D0UT-7 广泛应用于移动设备的电池管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路以及其他需要高效功率转换的领域。
  具体应用场景包括但不限于:
  - 手机和平板电脑中的电源管理系统
  - 可穿戴设备的小型化设计
  - 笔记本电脑适配器及充电模块
  - LED 照明控制与调光
  - 各种工业自动化设备中的信号切换

替代型号

DMN29FSG, FDN337N, BSS138

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DMP21D0UT-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C590mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C495 毫欧 @ 400mA,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs1.54nC @ 8V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds80pF @ 10V
  • 功率 - 最大240mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-523
  • 供应商设备封装SOT-523
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DMP21D0UT-7DITR