时间：2025/5/7 13:03:11
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LQG15HS1N0S02D是一款由罗姆（ROHM）公司生产的低导通电阻的P沟道功率MOSFET。该器件采用USP-6B封装，具有出色的开关性能和低导通损耗特性，适用于多种电源管理场景。其主要特点是能够在高电流条件下保持较低的导通电阻，同时具备良好的热特性和可靠性。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：-15A
导通电阻（典型值）：2.9mΩ
栅极-源极电压（最大值）：±20V
功耗（最大值）：35W
工作结温范围：-55℃至175℃
LQG15HS1N0S02D是一款专为高效能应用设计的P沟道MOSFET。
它具有超低的导通电阻，可以有效减少功率损耗。
此外，其USP-6B封装方式有助于提升散热性能，适合紧凑型设计。
由于采用了先进的制造工艺，该器件在高频开关应用中表现出优异的性能，并且能够承受较高的瞬态电压冲击。
它的高可靠性使其非常适合于要求严格的工业和汽车电子领域。
该芯片广泛应用于各种需要高效功率转换的场合，例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路以及电池保护电路。
在消费电子领域，它可以用于笔记本电脑适配器、智能手机快充模块等。
工业领域中，这款MOSFET可用于可编程逻辑控制器（PLC）、逆变器和其他高性能电源管理系统。
另外，在汽车电子领域，该器件也可以用作引擎控制单元（ECU）中的关键元件。
LQG15HS1N0T02D
