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FDS4435BZ 发布时间 时间:2024/6/4 16:05:41 查看 阅读:285

FDS4435BZ是一款功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件。它是一款N沟道MOSFET,设计用于高端应用中的低电压和低电流开关。
  FDS4435BZ采用了先进的铝氮化物/氧化硅堆栈工艺,以提供低导通电阻和高开关速度。它具有低阈值电压和低输入电容,适用于低电压电路中的高效能应用。
  该器件的主要特点包括最大漏极电流为23安培,最大漏极-源极电压为30伏,导通电阻为0.012欧姆,输入电容为150皮法,以及开关时间为10纳秒。
  FDS4435BZ还具有超低的功耗和高可靠性,适用于电池供电和便携式设备等应用。它还可以用于电源管理、DC-DC转换器、电池充放电控制等领域。
  此外,FDS4435BZ还采用了环保材料和无铅封装,符合RoHS(限制有害物质)要求,适合环保应用。

参数与指标

额定电压:30V
  额定电流:12A
  导通电阻:23mΩ(最大值)
  开关时间:5.7ns(最大值)
  典型输入电容:1575pF
  额定功率:138W

组成结构

FDS4435BZ由N沟道和P沟道MOSFET组成。它的引脚包括源极(S)、栅极(G)和漏极(D)。

工作原理

FDS4435BZ是一种增强型MOSFET,其工作原理基于栅极电压的变化来控制漏极和源极之间的电流。当栅极电压高于沟道阈值电压时,通道打开,电流可以从漏极流向源极。当栅极电压低于沟道阈值电压时,通道关闭,电流无法通过。

技术要点

高额定电压和电流能力
  低导通电阻,减小功耗
  快速的开关速度,减小开关损耗
  低输入电容,提高开关速度
  高温性能良好

设计流程

FDS4435BZ的设计流程包括以下步骤:
  根据要求选择合适的MOSFET器件,如额定电压、电流等。
  根据电路需求确定合适的驱动电路和保护电路。
  进行电路仿真和优化,确保电路性能满足需求。
  进行PCB设计和布局,注意散热和电磁干扰等问题。
  制作样品并进行测试和验证。
  进行量产和质量控制。

常见故障及预防措施

常见故障包括过热、过电流、过压等。为了预防这些故障,可以采取以下措施:
  合理设计散热系统,确保器件在额定工作温度范围内。
  添加过电流和过压保护电路,如保险丝、电流限制器、过压保护电路等。
  严格控制电路参数,确保不超过器件的额定值。
  定期进行设备维护和检查,及时发现和修复潜在问题。

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FDS4435BZ参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 8.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs40nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1845pF @ 15V
  • 功率 - 最大1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDS4435BZTR