时间：2025/5/13 10:03:13
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LQG15HN1N2S02D 是一款基于 GaN（氮化镓）技术的高效率功率晶体管，适用于高频开关应用。该器件采用增强型 GaN HEMT 技术，能够提供高击穿电压、低导通电阻和快速开关特性。其封装形式为 LFPAK88，有助于实现卓越的热性能和电气性能。
该器件特别适合用于 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器、PFC（功率因数校正）电路以及其他高频功率转换应用场景。
型号：LQG15HN1N2S02D
类型：增强型 GaN 功率晶体管
VDS（漏源电压）：650 V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：150 mΩ
ID（连续漏极电流）：1.9 A
VGSTh（栅极阈值电压）：0.6 V to 1.2 V
Qg（总栅极电荷）：14 nC
Eoss（输出电容能量损失）：37 nJ
Ciss（输入电容）：1350 pF
Coss（输出电容）：16 pF
工作温度范围：-55℃ to +150℃
封装：LFPAK88
LQG15HN1N2S02D 提供了出色的开关特性和较低的导通电阻，从而在高频应用中显著降低功率损耗。它具有以下特点：
- 高击穿电压（650V），确保在高压环境下稳定运行。
- 极低的导通电阻（150mΩ），减少传导损耗。
- 快速开关能力，支持高达 MHz 级别的开关频率。
- 内置 ESD 保护功能，提升系统可靠性。
- 小型化的 LFPAK88 封装，优化 PCB 布局并改善散热性能。
- 零反向恢复电荷 (Qrr)，适合硬开关应用。
- 符合 RoHS 标准，环保且兼容无铅焊接工艺。
LQG15HN1N2S02D 主要应用于以下领域：
- 开关电源（Switching Power Supplies, SMPS）
- DC-DC 转换器
- PFC（功率因数校正）电路
- 工业电机驱动控制
- 充电器和适配器设计
- 太阳能微型逆变器
- 汽车电子中的 DC-DC 转换模块
- 各类高效能、高频电力电子设备
LQG15HN1N2S02A
