TE28F800B3B110 时间：2025/10/29 21:14:21 阅读：27

TE28F800B3B110是一款由Intel（现归属于Micron Technology）推出的并行接口闪存芯片，属于Intel StrataFlash家族中的一员。该器件采用NOR Flash技术，具备高性能、高可靠性和快速随机访问能力，广泛应用于需要代码存储和执行的嵌入式系统中。TE28F800B3B110的存储容量为8 Mbyte（即64 Mbit），组织方式为8位或16位数据宽度可选，支持字节/字模式访问，适用于多种工业控制、通信设备、网络路由器、打印机以及医疗设备等场景。
　　该芯片采用48引脚TSOP封装，工作电压为3.0V至3.6V，支持低功耗模式，适合对功耗敏感的应用环境。其内部结构划分为多个块（Block），便于实现扇区擦除和编程操作，提升了数据管理的灵活性。此外，TE28F800B3B110集成了先进的写保护机制，包括软件锁定和硬件复位保护功能，有效防止误擦写和非法访问，保障系统数据安全。
　　作为一款成熟的工业级产品，TE28F800B3B110符合工业温度范围要求（-40°C至+85°C），具有较强的抗干扰能力和长期稳定性，适用于严苛的工作环境。尽管Intel已逐步将闪存业务转移给美光，并在后续推出了更新的技术如Cypress Cypress Semper系列替代传统StrataFlash产品线，但TE28F800B3B110仍在许多存量设备中持续使用，技术支持和兼容型号仍可在相关厂商资料中找到。

参数

型号：TE28F800B3B110
　　制造商：Intel / Micron
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：64 Mbit (8 MB)
　　接口类型：并行（8/16位可选）
　　供电电压：3.0V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：48-pin TSOP
　　读取访问时间：110 ns
　　编程电压：内部电荷泵提供高压
　　擦除方式：按块（Block）擦除
　　写保护功能：软件与硬件结合
　　可靠性：典型耐久性10万次擦写周期
　　数据保持时间：大于10年

特性

TE28F800B3B110具备多项关键技术特性，使其在嵌入式非易失性存储领域中表现出色。首先，其基于Intel的Two-Die Stack技术，在单个封装内集成两颗32Mbit晶粒，构成64Mbit总容量，这种设计不仅提高了集成度，还优化了PCB布局空间利用率，特别适合空间受限的应用场合。其次，该芯片支持x8/x16两种总线宽度模式，用户可通过硬件配置灵活选择，兼容不同主控处理器的数据总线需求，增强了系统的适配能力。
　　该器件拥有快速的读取性能，最大访问时间为110纳秒，能够满足实时操作系统中对代码直接就地执行（XIP, eXecute In Place）的需求，无需将程序加载到RAM即可运行，显著降低系统成本和启动延迟。同时，内置的电荷泵电路可在标准3V电源下完成编程和擦除操作，无需额外提供高电压引脚，简化了电源设计。
　　在数据安全性方面，TE28F800B3B110提供了多层次的保护机制。除了标准的软件锁定功能外，还支持VPP引脚的硬件写保护和上电复位保护，防止因异常断电或电压波动导致的错误写入。此外，芯片支持按块（Sector）进行擦除，每个块大小为64KB，允许局部更新而不影响其他区域数据，极大提升了系统维护效率。
　　该器件符合工业级标准，能够在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定工作，具备良好的抗噪声干扰能力和长期数据保持能力（通常超过10年）。其擦写寿命可达10万次以上，远高于多数EEPROM器件，适用于频繁更新固件的场景。尽管随着技术发展，该型号已被更先进的串行NOR Flash（如SPI QPI）所取代，但在老式工控设备中仍具重要地位。

应用

TE28F800B3B110主要应用于需要高可靠性代码存储和本地执行的嵌入式系统中。典型应用场景包括工业自动化控制器（PLC）、网络通信设备（如路由器、交换机）、打印机与多功能办公设备、医疗仪器、POS终端以及车载电子控制系统等。在这些系统中，该芯片常用于存储启动引导程序（Bootloader）、操作系统映像、应用程序代码以及关键配置参数，支持系统上电后直接从Flash中执行指令，实现快速启动和高效运行。
　　由于其具备并行接口和较快的随机访问速度，特别适合需要频繁读取小量数据或执行代码跳转的操作环境。例如，在路由器中，TE28F800B3B110可用于存放固件镜像，确保设备在重启后能迅速加载操作系统；在工业控制设备中，它可存储控制逻辑程序，并在恶劣环境下长期稳定运行。此外，该芯片也常见于测试测量仪器中，用于保存校准数据和用户设定参数，即使断电也不会丢失信息。
　　得益于其宽温特性和高抗干扰能力，TE28F800B3B110也被广泛部署于户外通信基站、电力监控终端等严苛环境中。虽然现代设计趋向于使用更小封装、更低功耗的串行Flash，但对于已有架构且依赖并行总线的老项目而言，该芯片仍是可靠的存储解决方案。同时，因其停产前产量大、配套工具成熟，仍有大量替换和维修市场需求存在。