LPH6050T-150M-R 是一款高精度、低功耗的霍尔效应传感器,采用先进的 CMOS 技术制造。该器件能够在各种温度和电压条件下提供稳定的性能表现,广泛应用于电流感应、位置检测以及速度测量等场景。其独特的设计使其具有较高的灵敏度和抗干扰能力,适合工业及汽车领域的严苛应用环境。
这款传感器集成了信号调节电路和温度补偿功能,从而在宽泛的工作范围内保持输出信号的一致性。它通过检测磁场强度的变化来感知目标物体的位置或运动状态,并将结果转换为成比例的模拟电压输出。
型号:LPH6050T-150M-R
类型:霍尔效应传感器
供电电压范围:3.8V 至 30V
工作温度范围:-40℃ 至 +150℃
输出类型:模拟电压
灵敏度:150mV/Gauss
带宽:5kHz
静态电流:最大 -92S
LPH6050T-150M-R 提供出色的线性输出响应,能够准确地反映磁场强度变化。其内置的温度补偿机制保证了即使在极端温度下也能维持稳定的性能。
该芯片具备极低的噪声水平和良好的共模抑制比,有助于减少外部干扰对测量结果的影响。同时,它的宽电压输入范围使得其可以方便地适配多种电源系统,而无需额外的稳压电路。
此外,该器件的紧凑型封装设计有利于节省 PCB 空间,非常适合空间受限的应用场合。
主要特点总结如下:
- 高灵敏度
- 宽工作温度范围
- 内置温度补偿
- 良好的抗电磁干扰能力
- 小尺寸封装
LPH6050T-150M-R 广泛适用于需要精确磁性测量的各类场景中,包括但不限于以下领域:
1. 电流感应:用于电机控制、功率管理模块中的电流监测。
2. 位置检测:例如阀门开闭状态监控、旋转编码器。
3. 速度测量:如车轮转速传感器、风扇 RPM 监控。
4. 工业自动化设备中的非接触式开关。
5. 汽车电子系统中的踏板位置传感与刹车辅助功能。
总之,这款芯片凭借其优异的性能,在需要可靠且精准磁场测量的环境中表现出色。
LPH6050T-200M-R
LPH6050T-100M-R