晶体管类型：双NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极电流（IC）：100mA（每个晶体管）
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：16引脚SSOP
　　增益（hFE）：200至800（根据工作条件）
　　过渡频率（fT）：100MHz（最小值）
　　噪声系数：3dB（典型值，1kHz）

LPB8615DT0AG的核心特性之一是其内置的双NPN晶体管结构，这使得该器件非常适合需要两个匹配晶体管的电路应用。每个晶体管之间的电气特性高度一致，确保了在差分放大器、推挽输出级和信号调理电路中的良好性能。该器件的高增益特性（hFE在200到800之间）使其能够在低输入信号条件下提供较强的电流放大能力。
　　此外，LPB8615DT0AG具有较高的过渡频率（fT最小为100MHz），这意味着它可以在较高频率下有效工作，适用于射频前端放大器或中频放大电路。噪声系数低至3dB，适合用于音频放大器和低噪声前置放大器等对噪声敏感的应用。
　　该器件的功耗较低，典型值为300mW，适合用于电池供电设备和需要节能设计的系统中。16引脚SSOP封装不仅节省空间，还提高了PCB布局的灵活性，适用于自动化装配和高密度电路设计。
　　工作温度范围宽达-55°C至+150°C，使其在极端环境条件下（如工业控制、汽车电子系统）也能稳定工作。

LPB8615DT0AG广泛应用于多种电子系统中。在模拟电路设计中，它常用于构建差分放大器、运算放大器的输入级或驱动级，以及低噪声前置放大器。在音频设备中，该器件可用于前置放大和信号调理，确保高保真音频输出。
　　此外，该器件也适用于电源管理和开关电路，如DC-DC转换器的控制电路、稳压器反馈环路和负载开关。在工业控制系统中，它可以用于传感器信号放大、模拟比较器电路和执行器驱动电路。
　　由于其高频特性，LPB8615DT0AG也可用于射频（RF）模块中的信号放大，例如无线通信设备的前端放大器、接收机和发射机电路。在消费类电子产品中，如便携式音频设备、智能传感器和物联网（IoT）设备中，该器件的低功耗和小尺寸封装使其成为理想选择。

建议的替代型号包括LPB8615DT1G、LPB8615DTR4G、以及双晶体管阵列器件如LM2904V或NPN晶体管阵列如MPSH10。