类型：齐纳二极管
　　封装形式：SOD-123
　　齐纳电压：6.8 V
　　最大齐纳电流：200 mA
　　功率耗散：300 mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ 150°C
　　动态阻抗：最大 10 Ω
　　漏电流：最大 100 nA（在额定电压的 10% 以下）
　　容差：±5%

ZMM55-C6V8_R1_10001 齐纳二极管具有多个优异的电气和热性能特性。其高精度的齐纳电压容差为 ±5%，确保了在精密电压调节应用中的稳定性。该器件的低动态阻抗（最大10Ω）有助于在负载变化时维持稳定的输出电压，从而提高系统的整体性能。此外，ZMM55-C6V8_R1_10001 的漏电流极低，在额定电压的10%以下时最大为100nA，这使得它在低功耗应用中表现出色。
　　该齐纳二极管采用SOD-123小型表面贴装封装，便于自动化装配并节省PCB空间，适合现代高密度电子设计。其额定功率耗散为300mW，能够在较高电流下稳定工作，适用于多种电源管理和电压参考电路。
　　热稳定性方面，ZMM55-C6V8_R1_10001 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于工业级和汽车电子应用。这种宽温度范围保证了器件在极端环境条件下仍能保持稳定性能。

ZMM55-C6V8_R1_10001 齐纳二极管广泛应用于需要稳定6.8V电压的电路中。典型应用包括开关电源、DC-DC转换器、电池管理系统和电压参考源。由于其良好的温度稳定性和低动态阻抗，该器件常用于工业控制、测量仪器和汽车电子系统中的电压调节和保护电路。
　　此外，ZMM55-C6V8_R1_10001 还可用于过压保护电路，作为电压钳位元件，防止敏感电子器件受到瞬态电压冲击。其低漏电流特性也使其适用于低功耗便携设备，如智能传感器、无线通信模块和手持式仪器。

ZMM55-C6V8-R1-10001 可以作为替代型号