类型：NPN型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：80V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功率耗散（Pd）：300mW
　　电流增益（hFE）：在Ic=2mA时，典型值为110
　　频率响应（fT）：100MHz
　　封装类型：SOT-223

LPB2680LT1G是一款高性能的NPN型晶体管，具备较高的电流增益和良好的频率响应，适用于高频放大和开关应用。其主要特性包括：
　　1. 高电流增益（hFE）：在工作电流为2mA时，电流增益的典型值为110，使得该晶体管能够有效地放大微弱信号。
　　2. 高频响应：晶体管的过渡频率（fT）可达100MHz，适用于高频信号放大和射频电路中的应用。
　　3. 良好的热稳定性：SOT-223封装具有较好的散热能力，能够有效降低工作温度，提高器件的可靠性。
　　4. 低饱和压降：在开关应用中，晶体管的饱和压降较低，有助于减少功率损耗，提高能效。
　　5. 宽工作温度范围：能够在-55°C至+150°C的温度范围内稳定工作，适用于各种恶劣环境下的电子设备。
　　6. 高耐压能力：集电极-发射极的最大耐压为80V，能够满足多种高压应用的需求。

LPB2680LT1G晶体管广泛应用于各种电子电路中，主要包括：
　　1. 放大电路：由于其高电流增益和良好的频率响应，该晶体管常用于音频放大、射频放大和信号增强电路中。
　　2. 开关电路：适用于数字电路和控制电路中的开关应用，如驱动继电器、LED和小型电机等。
　　3. 电源管理：可用于低功耗电源管理系统，如稳压器和DC-DC转换器中的控制部分。
　　4. 工业自动化：在工业控制系统中，用于传感器信号放大和执行器控制。
　　5. 消费电子产品：如电视、音响设备和家用电器中的控制和信号处理电路。

BC547, 2N3904