LP6217B6F 是一款由 LRC(乐山无线电)公司生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于电源管理、开关电源、负载开关、电机控制等高效率功率转换系统中。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。封装形式为 SOT-223,适合表面贴装,便于散热和高密度电路设计。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):20V
栅源电压(VGS):±12V
连续漏极电流(ID):6A
导通电阻(RDS(ON)):28mΩ @ VGS=10V
功率耗散(PD):2W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
LP6217B6F 的核心优势在于其出色的导通性能和高效的开关特性。其低导通电阻(RDS(ON))仅为 28mΩ,在高电流工作条件下能显著降低导通损耗,提高系统效率。此外,该 MOSFET 具有较高的电流承载能力,连续漏极电流可达 6A,适用于中等功率应用场景。
该器件采用 SOT-223 封装,具有良好的散热性能,适合高密度 PCB 设计。其栅极驱动电压范围较宽(通常为 4.5V 至 10V),便于与多种驱动电路兼容。此外,LP6217B6F 在高温环境下仍能保持稳定工作,具备良好的热稳定性,适用于对可靠性要求较高的工业和消费类电子产品。
该 MOSFET 还具备快速开关特性,能够有效降低开关损耗,适用于高频开关电源、DC-DC 转换器和负载开关等应用。其短路耐受能力和过温保护特性进一步增强了器件在复杂工作环境下的稳定性。
LP6217B6F 主要用于各类功率电子系统中,例如同步整流器、DC-DC 转换器、电池管理系统(BMS)、负载开关、电机驱动器和电源管理模块等。在消费类电子产品中,如笔记本电脑、平板电脑、移动电源和智能家电中,该 MOSFET 可用于高效能电源转换和负载控制。
在工业领域,LP6217B6F 可用于自动化控制系统、工业电源、LED 驱动电源和通信设备中的电源模块。此外,由于其良好的热稳定性和高可靠性,也适用于车载电子系统中的辅助电源管理电路。
对于设计工程师而言,选择 LP6217B6F 可以简化电路设计、提高系统效率并减少散热设计的复杂度,是一款性价比较高的功率 MOSFET 解决方案。
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"AO6217",
"SiS6217",
"FDMS6217",
"NTMFS6217N"
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