AON6982是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用了先进的制程工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特性。AON6982广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域,特别是在需要高效功率转换和低功耗的场景中表现优异。
AON6982采用DFN5x6-8封装形式,这种小型化封装非常适合空间受限的应用设计。此外,它符合RoHS标准,确保环保合规性。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:16A
导通电阻:1.7mΩ
栅极电荷:43nC
总电容:1540pF
工作温度范围:-55℃至150℃
封装类型:DFN5x6-8
AON6982具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),仅为1.7mΩ,可有效降低功率损耗并提升系统效率。
2. 快速开关性能,栅极电荷低至43nC,有助于减少开关损耗。
3. 高雪崩击穿能力,提高了器件在异常条件下的可靠性。
4. 小型化的DFN5x6-8封装,节省PCB布局空间。
5. 优异的热性能,适合高温环境下的应用。
6. 符合RoHS标准,绿色环保。
AON6982适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于:
1. DC-DC转换器中的功率开关元件。
2. 开关电源(SMPS)中的同步整流功能。
3. 电池管理系统的充放电控制。
4. 电机驱动电路中的功率级元件。
5. 工业自动化设备中的负载切换。
6. 消费类电子产品如笔记本电脑适配器、智能手机快速充电器等。
AON6988, AON7982