类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：100V
　　漏极-栅极电压（Vdg）：100V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：20A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大45mΩ（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-263
　　功率耗散（Pd）：150W

LP20N100TZHG是一款高性能N沟道MOSFET，采用了先进的沟槽式工艺技术，确保了低导通电阻和优异的开关性能。其导通电阻在Vgs=10V时最大为45mΩ，有效降低了导通损耗，提高了整体能效。该器件的漏极-源极电压为100V，能够承受较高的电压应力，适用于多种功率转换应用。最大连续漏极电流为20A，具备较强的电流承载能力，适合高负载环境。
　　该MOSFET采用TO-263表面贴装封装，具有良好的散热性能，有助于提高器件在高功率工作状态下的稳定性。其工作温度范围为-55°C至175°C，能够在极端温度环境下可靠运行，适用于工业级应用。栅极-源极电压范围为±20V，提供较高的驱动灵活性，同时内置栅极保护二极管，防止过压损坏。
　　此外，LP20N100TZHG具备优异的热稳定性和抗短路能力，能够在突发负载变化或短路情况下保持稳定工作。其设计优化了开关损耗，提高了系统效率，减少了散热器的尺寸需求，从而降低整体系统成本。这款MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统和工业电源等领域，提供可靠、高效的功率控制解决方案。

LP20N100TZHG适用于多种高功率电子系统，包括电源转换器、电机控制电路、工业自动化设备、电池管理系统和高功率LED照明驱动器。其高耐压和低导通电阻特性使其成为高效能电源管理应用的理想选择。

IRF1404, STP20NF10, FDP20N10