时间：2025/5/10 14:06:10
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LP0404N3T5G是一款专为低压应用设计的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力等特点，适用于多种电源管理和电机驱动应用场景。
其封装形式通常为SOT-23或DFN等小型化封装，有助于节省电路板空间并提升散热性能。该型号广泛应用于便携式设备、消费电子、工业控制等领域中的负载开关、DC-DC转换器和电池保护电路中。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.8A
导通电阻（Rds(on)）：40mΩ
栅极电荷：7nC
总电容：3.5pF
工作结温范围：-55℃至150℃
1. 极低的导通电阻确保了更高的效率和更低的功耗。
2. 快速开关特性使其非常适合高频操作环境。
3. 高静电放电（ESD）防护能力提升了器件的可靠性。
4. 小型封装便于在紧凑型设计中使用。
5. 宽工作温度范围支持其在恶劣环境下的稳定运行。
负载开关
DC-DC转换器
电池保护电路
电机驱动
信号切换
消费类电子产品中的电源管理
AO3400
IRLML6401
FDMC8618
