2SK2055是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理和功率放大器等电子电路中。这款MOSFET以其高效率、高可靠性和良好的热稳定性而著称,适用于需要高电流和高电压处理能力的场合。
类型:N沟道
漏极电流(ID):15A
漏-源极电压(VDS):60V
栅-源极电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):约0.045Ω(典型值)
封装形式:TO-220
2SK2055具有较低的导通电阻,能够在高电流条件下保持较低的功率损耗,从而提高整体系统效率。该器件的高栅极绝缘能力确保了在高电压环境下的稳定运行,同时具备良好的抗过载能力。
此外,2SK2055的封装设计有助于有效散热,延长器件寿命并提高系统的可靠性。其快速开关特性使其适用于高频开关电源和电机控制等应用。
该MOSFET还具有较强的短路耐受能力,能够在短时间内承受较高的电流而不损坏,提高了系统的安全性和稳定性。
2SK2055主要用于开关电源、DC-DC转换器、电池充电器、马达驱动器以及音频功率放大器等高功率应用中。其高效率和良好的热管理特性使其成为工业控制、汽车电子和消费类电子产品中的理想选择。
2SK2056, 2SK2057, IRFZ44N