时间：2025/8/13 7:38:03
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LP03N060TZHG是一款由力生美（Lontium Semiconductor）推出的高性能、高集成度的功率MOSFET器件，采用先进的沟槽式（Trench）技术制造。该器件是一款N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压、高电流容量以及优异的热稳定性等特点。LP03N060TZHG专为高效电源管理应用而设计，广泛用于DC-DC转换器、电源适配器、负载开关、电池管理系统以及工业自动化设备等场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：120A（在25℃）
导通电阻（Rds(on)）：3.2mΩ（典型值，Vgs=10V）
功耗（Pd）：150W
工作温度范围：-55℃~150℃
封装形式：TO-220
技术：沟槽式（Trench）
极性：N沟道
LP03N060TZHG的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流条件下导通损耗显著降低，从而提高了整体系统的效率。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，优化了电场分布，提高了器件的击穿电压稳定性和电流承载能力。此外，LP03N060TZHG具有优异的热性能，能够在高负载条件下保持稳定运行，适用于高功率密度电源设计。
另一个重要特性是其高栅极电压容限（±20V），这使得该器件能够兼容多种驱动电路设计，提高系统的灵活性和可靠性。LP03N060TZHG的封装形式为TO-220，具有良好的散热能力，便于安装在散热器上，适用于中高功率应用场合。该器件还具备低开关损耗、高可靠性以及良好的抗干扰能力，适用于工业级应用环境。
LP03N060TZHG广泛应用于多种电源管理系统和功率电子设备中，特别是在需要高效率、高可靠性和高电流承载能力的场景中。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电源适配器、服务器电源、电动工具、工业电机控制、电池管理系统（BMS）以及各种类型的负载开关电路。由于其高集成度和出色的电气性能，该器件也适用于新能源汽车、光伏逆变器、储能系统等高端功率应用领域。
SiS686ADN-T1-GE3, Infineon IPW60R036C6, STMicroelectronics STP120NF60ND, ON Semiconductor NTD60N06LT4G
