LNZ9F3V9ST5G 是 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款低电压、低功耗的双极型晶体管阵列器件,广泛应用于模拟和数字电路中的信号处理、放大和开关控制。该器件采用双晶体管结构,包含两个 NPN 型晶体管,共享一个公共集电极端子。LNZ9F3V9ST5G 的设计优化了低电压操作和高电流增益性能,使其非常适合便携式电子设备和电源管理应用。
类型:双极型晶体管(NPN)
配置:双晶体管阵列(共集电极)
最大集电极电流:100 mA
最大集电极-发射极电压:30 V
最大基极电流:5 mA
最大功耗:200 mW
电流增益带宽:100 MHz
电流增益(hFE):100 - 800(根据工作电流)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TSOP(Tape and Reel,表面贴装)
LNZ9F3V9ST5G 是一款专为低电压、低功耗应用而设计的双极型晶体管组合器件,其双 NPN 晶体管结构允许在多个电路拓扑中灵活使用。其共集电极配置简化了在需要多个晶体管的电路中的布线,并有助于降低功耗和提高集成度。由于其高电流增益特性,该器件在信号放大和开关应用中表现出色,能够有效放大微弱信号或驱动低功耗负载。
此外,LNZ9F3V9ST5G 具有优异的频率响应,其增益带宽可达 100 MHz,适合用于中高频信号处理应用。其表面贴装 TSOP 封装形式使其适用于自动化生产流程,并具有良好的热稳定性和机械可靠性。器件的工作温度范围广泛,从 -55°C 到 +150°C,能够适应多种工业和消费电子应用环境。
在功耗方面,LNZ9F3V9ST5G 的最大功耗为 200 mW,使其适用于电池供电设备和节能型电子产品。这种低功耗特性结合其高性能表现,使该器件成为无线通信模块、传感器接口电路、音频放大器前级以及逻辑电平转换电路的理想选择。
LNZ9F3V9ST5G 适用于多种电子系统,包括便携式消费电子产品、工业控制系统、传感器信号调理电路、低功耗放大器、逻辑电平转换器以及无线通信设备中的射频前端模块。此外,该器件也可用于 LED 驱动、继电器控制和小型电机驱动等开关应用。
PNX2222ADT1G, LNZ846F1TS5G, BC847B