CDLL5986是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管,属于NPN型高频晶体管。它主要用于射频(RF)和微波应用中,具有良好的高频性能和放大能力。该器件采用TO-220封装形式,适合在功率放大器、射频放大器、开关电路等多种高频电子电路中使用。CDLL5986的设计使其能够在较高的频率下稳定工作,同时保持较低的噪声系数,因此广泛应用于通信设备、无线基础设施以及测试测量仪器。
晶体管类型:NPN
封装类型:TO-220
最大集电极-发射极电压(Vceo):60V
最大集电极电流(Ic):1.5A
最大功耗(Ptot):10W
过渡频率(fT):100MHz
最大工作温度:150°C
增益(hFE):典型值为50-300(根据电流不同)
噪声系数(NF):典型值为3dB(在100MHz时)
集电极-基极击穿电压(Vcbo):75V
发射极-基极击穿电压(Vebo):5V
CDLL5986具有出色的高频性能,能够在高达100MHz的频率下保持良好的增益和放大能力,适合用于射频放大器和前置放大器设计。该晶体管的噪声系数较低,使其在需要高灵敏度的接收器前端电路中表现优异。此外,CDLL5986具备较高的集电极电流能力和良好的热稳定性,确保其在高功率应用中仍能保持稳定运行。
该器件采用TO-220封装,具有良好的散热性能,适用于需要较高功耗处理能力的电路设计。其引脚排列标准化,便于安装和替换,广泛用于工业和通信领域的高频电路中。
CDLL5986的增益范围较宽,根据不同的工作电流条件,hFE值可在50至300之间变化,满足多种放大需求。它的工作温度范围宽,可在-55°C至+150°C之间正常工作,适用于各种恶劣环境下的电子设备。
CDLL5986主要应用于射频功率放大器、无线通信系统中的前置放大器、中继器、天线放大器等高频电路。此外,它也常用于测试测量设备、信号发生器、工业控制系统以及音频放大器等需要高频率响应和低噪声性能的电路中。由于其高频特性和良好的热稳定性,CDLL5986也适用于开关电源和脉冲电路设计。
2N5190, 2N5191, BFQ59, MRF5986