时间：2025/8/13 4:54:30
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LNZ9F39VST5G 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于功率开关和高效率电源管理应用。该器件采用先进的沟槽技术，具备低导通电阻和高电流能力，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池供电设备等应用场景。其封装形式为 SOT-223，便于在 PCB 上安装并提供良好的热管理。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流（Id）：500 mA
漏极-源极电压（Vds）：300 V
栅极-源极电压（Vgs）：±30 V
导通电阻（Rds(on)）：5.5 Ω @ Vgs = 10 V
功率耗散（Pd）：1.5 W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT-223
LNZ9F39VST5G MOSFET 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，能够在高压条件下提供优异的导通性能和开关效率。其低导通电阻（Rds(on)）确保在导通状态下功耗最低，从而提高系统整体效率。该器件的高耐压能力（Vds 最大 300V）使其适用于多种高压开关应用，如 LED 照明驱动、电源适配器和工业控制系统。
此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性和高功率耗散能力（1.5W），可在较高温度环境下稳定运行。SOT-223 封装形式不仅节省空间，还提供了较好的散热性能，适合用于紧凑型电子设备的设计。该器件还具有较快的开关速度，有助于减少开关损耗，适用于高频操作场景，如开关电源（SMPS）和 PWM 控制电路。
LNZ9F39VST5G MOSFET 主要用于中低功率的高压开关应用，如 AC-DC 和 DC-DC 转换器、LED 驱动电源、负载开关控制、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，该器件也可用于消费类电子产品、智能电表、充电器和适配器等应用场合。
FQP30N06L、IRFZ44N、2N7002K、FDN304P
