时间：2025/8/13 19:56:06
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LNZ9F2V7T5G 是一款由ON Semiconductor生产的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该晶体管设计用于高频应用，具有良好的性能和可靠性，适用于各种电子电路，特别是在射频（RF）和放大器设计中。其高频率响应和低噪声特性使其在通信设备中具有广泛的应用。
晶体管类型：NPN
封装类型：SOT-23
最大集电极-发射极电压（VCEO）：40V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功耗：300mW
频率范围：100MHz
增益带宽积（fT）：100MHz
噪声系数：4dB
工作温度范围：-55°C至150°C
LNZ9F2V7T5G 是一款高性能的NPN型晶体管，具有优异的高频特性，适用于射频放大和低噪声放大应用。其SOT-23封装设计使其适合表面贴装技术，提高了电路板的集成度和可靠性。该晶体管在宽频率范围内保持稳定的性能，能够有效降低噪声并提高信号的清晰度。此外，其高增益带宽积确保了在高频下的良好响应，适用于各种高频电路设计。
该晶体管的低噪声系数使其在无线通信、广播接收设备和射频前端电路中表现出色。其紧凑的封装设计不仅节省了空间，还便于在高密度电路中的使用。LNZ9F2V7T5G 的工作温度范围广泛，可以在极端环境下稳定工作，适用于工业级和军事级应用。此外，其低功耗特性也有助于延长设备的使用寿命和提高能效。
LNZ9F2V7T5G 主要应用于射频放大器、低噪声放大器、高频振荡器和混频器等电路中。它在无线通信设备、卫星接收器、广播调谐器和测试仪器中具有广泛的使用场景。此外，该晶体管还可用于音频放大器和开关电路中，提供稳定的性能和高效的信号处理能力。
PN2222, 2N3904, BFQ19
