时间：2025/8/13 21:48:14
阅读：25
LNZ9F20VT5G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和负载开关应用。该器件采用先进的 Trench 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高可靠性，适用于需要高效能和低功耗的电子系统。LNZ9F20VT5G 采用 SOT-223 封装，便于表面贴装，适合在紧凑型设计中使用。
类型：P 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：-6A
最大漏源电压（VDS）：-20V
最大栅源电压（VGS）：±12V
导通电阻（Rds(on)）：30mΩ（典型值，在VGS = -4.5V）
栅极电荷（Qg）：8.3nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-223
LNZ9F20VT5G 具有多个显著的电气和热性能优势。其低导通电阻（Rds(on)）可减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件支持高达 -6A 的连续漏极电流，适用于中高功率应用。Trench 技术的应用使得该 MOSFET 在保持小尺寸的同时具备出色的热稳定性和可靠性。
此外，LNZ9F20VT5G 的栅极驱动电压范围较宽，支持 -4.5V 至 -10V 的工作电压，兼容多种驱动电路。该器件内置的静电放电（ESD）保护功能增强了其在敏感电子环境中的耐用性。SOT-223 封装不仅提供了良好的散热性能，还确保了在高功率密度设计中的稳定性。
由于其优异的热管理和低功耗特性，LNZ9F20VT5G 可以在高温环境下稳定运行，适用于各种工业和消费类电子产品。
LNZ9F20VT5G 主要用于需要高效功率管理的电子系统中。典型应用包括便携式设备的电源管理、电池供电系统的负载开关、DC-DC 转换器、电机控制电路以及各类需要高可靠性和低功耗的嵌入式系统。该器件也常用于工业自动化设备、电源适配器以及智能家电中的电源控制模块。
Si4435BDY, IRML2803, FDS6680, NDS355AN
