LNZ9F18VT5G 时间：2025/8/13 21:46:03 阅读：7

LNZ9F18VT5G是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高频率、高效率的电源转换应用，具备优异的导通特性和开关性能。该MOSFET采用先进的沟槽技术，优化了导通电阻（Rds(on)）和开关损耗之间的平衡，适用于DC-DC转换器、负载开关和电源管理等场景。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：6.1A
　　最大漏源电压（Vds）：20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±8V
　　导通电阻（Rds(on)）：18mΩ @ Vgs=4.5V
　　栅极电荷（Qg）：5.2nC @ Vgs=4.5V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TSOP-6

特性

LNZ9F18VT5G具有非常低的导通电阻，这使得在高电流条件下能够保持较低的功率损耗，从而提升系统效率。其优化的栅极设计减少了开关过程中的能量损耗，适合高频操作。此外，该MOSFET的封装形式为TSOP-6，体积小巧，便于在空间受限的设计中使用。
　　这款MOSFET具备良好的热稳定性和较高的可靠性，能够在严苛的环境条件下保持稳定工作。其栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至8V的栅极电压输入，适用于多种驱动电路设计。
　　另外，LNZ9F18VT5G采用了环保材料，符合RoHS标准，适用于对环保要求较高的电子产品。

应用

LNZ9F18VT5G广泛应用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关、电池管理系统以及电源管理模块中。它特别适合于需要高效能和小体积设计的便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑等。
　　由于其出色的高频开关性能和低导通电阻，该MOSFET也常用于服务器和通信设备的电源模块中，帮助提升整体能效和系统稳定性。