型号：AM2764-25DC
　　制造商：AMD
　　存储容量：8K x 8位（64Kb）
　　存储类型：UV-EPROM
　　工艺技术：NMOS
　　供电电压：+5V ±5%
　　访问时间：250ns（最大值）
　　封装形式：DIP28（双列直插28引脚）
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　编程电压：+25V（Vpp）
　　逻辑电平兼容性：TTL
　　擦除方式：紫外线照射（约15~20分钟，波长253.7nm）
　　数据保持时间：≥10年（典型值）
　　编程电流：≤75mA（典型值）
　　待机电流：≤100μA（典型值）

AM2764-25DC具备出色的电气性能和可靠性，其核心特性之一是采用NMOS浮动栅晶体管结构，确保了数据在断电情况下的长期稳定存储。该芯片的最大访问时间为250ns，能够满足大多数8位微处理器系统的时序需求，如Z80、8085、6809等经典CPU架构。其+5V单电源供电设计简化了系统电源管理，而仅需在编程时提供+25V高压Vpp的特点，使得正常读取操作无需额外电压支持，提升了使用的安全性与便捷性。
　　另一个重要特性是其物理可擦除能力。芯片顶部设有石英窗口，允许用户通过紫外线光源对整个存储阵列进行批量擦除，这一机制支持多次重复编程（通常可擦写100次以上），非常适合研发调试阶段的固件迭代。此外，DIP28封装不仅便于手工安装和更换，也支持插座式使用，方便升级或替换程序内容。
　　在环境适应性方面，AM2764-25DC能够在0°C至+70°C的温度范围内稳定工作，部分版本可能提供扩展工业级温度选项。其低待机电流（小于100μA）有助于降低系统功耗，尤其适合长时间运行的控制设备。同时，该器件具有较强的抗静电和抗电磁干扰能力，保障了在复杂工业环境中的数据完整性。
　　TTL电平兼容性使其可以直接与常见的数字逻辑电路连接，无需电平转换器，进一步降低了系统设计复杂度。尽管现代系统更多采用串行接口的非易失性存储器，但AM2764-25DC因其并行接口带来的高速读取优势，在某些实时性要求较高的场合仍有应用空间。总体而言，这款芯片代表了上世纪80年代主流EPROM技术的成熟水平，兼具实用性与耐用性。

AM2764-25DC主要用于需要固化程序代码且不频繁更新的电子系统中。典型应用包括早期的微型计算机和单板机系统，作为BIOS或监控程序的存储介质；在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、数控机床和过程控制仪表中的固件存储。由于其非易失性和可重复编程特性，它也被广泛应用于通信设备，如调制解调器、交换机控制模块以及测试测量仪器中，用于存放启动代码和配置信息。
　　在教育和科研领域，AM2764-25DC常被用作数字电路与微处理器课程的教学工具，帮助学生理解存储器的工作原理、地址译码、总线时序以及EPROM编程流程。其直观的封装结构和简单的接口逻辑使其成为理想的实验器件。
　　此外，在一些军事和航空航天领域的老旧设备维护中，由于原始设计采用了此类EPROM芯片，AM2764-25DC仍是关键的替换元件。尽管目前新型系统已普遍转向Flash存储技术，但对于设备延寿、备件替换和技术复刻等场景，该芯片依然不可或缺。
　　值得一提的是，在音频设备和游戏机硬件修复中，例如复古合成器、街机主板或家用游戏卡带，AM2764-25DC也可能作为原始程序载体存在，因此在电子修复社区中具有一定需求。总而言之，该芯片适用于任何需要可靠、静态、可现场修改的非易失性程序存储的应用场景，尤其是在并行总线架构的系统中表现尤为突出。

2764A-25/MX2764AP-25/MBM2764A-25/DS2764-25