时间：2025/8/1 15:53:36
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CS7N80F 是一款高压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)），同时具备较高的耐压能力和快速的开关特性，适用于如电源适配器、LED驱动器、DC-DC转换器和电机控制等高效率应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：800V
最大漏极电流(Id)：7A（在25°C时）
导通电阻(Rds(on))：典型值1.2Ω（最大1.5Ω）
栅极阈值电压(Vgs(th))：2V~4V
最大功耗(Pd)：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
CS7N80F采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具备较低的导通电阻，有助于降低导通损耗并提高系统效率。其高达800V的漏源击穿电压使其适用于高压应用场景，例如开关电源（SMPS）和工业控制设备。该器件的封装形式为TO-220，具有良好的热稳定性和机械强度，便于安装和散热。
此外，CS7N80F具备较快的开关速度，能够有效减少开关损耗，提高整体能效。其栅极阈值电压范围适中，兼容常见的驱动电路设计，确保了稳定的操作性能。在高温环境下，该器件依然能保持良好的导通特性和稳定性，适用于要求苛刻的工业级应用。
该MOSFET还具备较高的抗雪崩能力和短路耐受能力，进一步提升了系统的可靠性和安全性。CS7N80F的设计优化了寄生电容，从而降低了高频开关时的损耗，使其在DC-DC转换器、马达驱动器和高功率LED驱动电路中表现出色。
CS7N80F主要应用于需要高耐压和低导通损耗的功率电子设备中，例如开关电源（SMPS）、LED驱动器、DC-DC转换器、电机控制器、家电电源模块、工业自动化设备和充电器等。由于其优异的导热性能和可靠性，它也适用于高环境温度条件下的应用场合。
7N80F、KSC2645、IRF840、STP8NM80、FQP7N80C
