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CS7N80F 发布时间 时间:2025/8/1 15:53:36 查看 阅读:7

CS7N80F 是一款高压功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的沟槽技术,提供较低的导通电阻(Rds(on)),同时具备较高的耐压能力和快速的开关特性,适用于如电源适配器、LED驱动器、DC-DC转换器和电机控制等高效率应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):800V
  最大漏极电流(Id):7A(在25°C时)
  导通电阻(Rds(on)):典型值1.2Ω(最大1.5Ω)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2V~4V
  最大功耗(Pd):50W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:TO-220

特性

CS7N80F采用了先进的沟槽式MOSFET技术,具备较低的导通电阻,有助于降低导通损耗并提高系统效率。其高达800V的漏源击穿电压使其适用于高压应用场景,例如开关电源(SMPS)和工业控制设备。该器件的封装形式为TO-220,具有良好的热稳定性和机械强度,便于安装和散热。
  此外,CS7N80F具备较快的开关速度,能够有效减少开关损耗,提高整体能效。其栅极阈值电压范围适中,兼容常见的驱动电路设计,确保了稳定的操作性能。在高温环境下,该器件依然能保持良好的导通特性和稳定性,适用于要求苛刻的工业级应用。
  该MOSFET还具备较高的抗雪崩能力和短路耐受能力,进一步提升了系统的可靠性和安全性。CS7N80F的设计优化了寄生电容,从而降低了高频开关时的损耗,使其在DC-DC转换器、马达驱动器和高功率LED驱动电路中表现出色。

应用

CS7N80F主要应用于需要高耐压和低导通损耗的功率电子设备中,例如开关电源(SMPS)、LED驱动器、DC-DC转换器、电机控制器、家电电源模块、工业自动化设备和充电器等。由于其优异的导热性能和可靠性,它也适用于高环境温度条件下的应用场合。

替代型号

7N80F、KSC2645、IRF840、STP8NM80、FQP7N80C

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