LNZ9F10VT5G 时间：2025/8/13 19:00:21 阅读：3

LNZ9F10VT5G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频率应用。该器件采用先进的工艺技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适合用于电源转换、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关等场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 (Vds)：100V
　　最大栅源电压 (Vgs)：±20V
　　最大漏极电流 (Id)：6.5A（在 25°C 下）
　　导通电阻 (Rds(on))：0.22Ω（最大值，在 Vgs=10V）
　　栅极电荷 (Qg)：14nC
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

特性

LNZ9F10VT5G 是一款性能优异的功率 MOSFET，采用了先进的沟槽式技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了效率。其低栅极电荷（Qg）使得该器件在高频开关应用中表现出色，降低了开关损耗。
　　此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其 TO-252 封装形式提供了良好的散热性能，适合高功率密度设计。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，适用于各种工业和汽车电子系统。

应用

LNZ9F10VT5G 常用于以下应用场景：
　　电源管理系统：如 DC-DC 转换器、同步整流器和电源开关电路。
　　电机控制：用于 H 桥驱动和电机速度调节。
　　负载开关：在高边或低边开关电路中控制负载的通断。
　　电池管理系统：用于充放电控制和电池保护电路。
　　工业自动化和汽车电子：如电源模块、逆变器和功率调节装置。