时间：2025/8/13 7:38:39
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LNZ9F10ST5G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等电源相关设计。LNZ9F10ST5G 采用 SOT-223 封装形式，具有良好的热管理和空间节省特性，适用于表面贴装工艺。
类型: N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）: 100 V
栅源电压（VGS）: ±20 V
漏极电流（ID）: 8.0 A
导通电阻（RDS(on)）: 0.115 Ω @ VGS = 10 V
功率耗散（PD）: 2.0 W
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
封装形式: SOT-223
LNZ9F10ST5G 功率 MOSFET 的核心特性之一是其极低的导通电阻 RDS(on)，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽式结构设计，提高了单位面积的电流密度，从而实现更高的性能。此外，其 SOT-223 封装具备良好的散热能力，能够在高电流条件下维持稳定的运行温度，适用于紧凑型电源设计。
该 MOSFET 具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关电源应用。其栅极驱动电压范围宽广（最高可达 20V），允许使用标准驱动器进行控制，同时具备较强的抗干扰能力和稳定性。此外，LNZ9F10ST5G 具备高雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过电压条件下的可靠性，提高了系统的鲁棒性。
该器件还具有较低的输入电容（CISS）和反向传输电容（CRSS），有助于减少高频应用中的寄生振荡和噪声干扰，提升整体系统的电磁兼容性（EMC）表现。同时，其内部结构优化降低了导通压降，从而减少发热，延长使用寿命。
LNZ9F10ST5G 广泛应用于多种电源管理系统和功率转换电路中。常见的应用场景包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关电路、电池供电设备中的电源管理模块、电机控制电路、LED 照明驱动器以及工业自动化设备中的功率开关。由于其具备低导通电阻、高电流能力和良好的热管理性能，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的设计中。此外，在汽车电子系统中，如车载充电器（OBC）或电池管理系统（BMS），LNZ9F10ST5G 也能够提供稳定的性能表现。
Si9410BDY-T1-GE3, FDS6680, NTD10N10CL, IRFZ44N
