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HM628512FP-10 发布时间 时间:2025/9/6 18:54:43 查看 阅读:6

HM628512FP-10是一款由HITACHI(现为Renesas)生产的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为512K位(64K x 8),采用高性能CMOS技术制造。这款SRAM芯片具有高速访问时间和低功耗的特点,适用于需要高速数据存取的嵌入式系统和工业控制设备。

参数

容量:512K位(64K x 8)
  电源电压:5V
  访问时间:10ns(最大)
  工作温度范围:工业级 -40°C 至 +85°C
  封装类型:52引脚 TSOP
  输入/输出接口:三态并行接口
  最大工作频率:100MHz
  数据保持电压:最小2V
  待机电流:最大10mA(典型值)

特性

HM628512FP-10 SRAM芯片采用了先进的CMOS工艺,具备高速访问能力和低功耗特性,非常适合对性能和功耗都有一定要求的应用场景。其10ns的访问时间确保了快速的数据读写操作,使得该芯片广泛用于需要高速缓存的嵌入式系统、工业控制设备、通信模块以及测试仪器等。该芯片支持标准的并行接口,兼容多种微控制器和处理器接口标准,便于系统集成。此外,HM628512FP-10具备良好的抗干扰能力和稳定性,在高温环境下仍能保持可靠运行。其低待机电流设计也有助于延长电池供电设备的工作时间。

应用

HM628512FP-10常用于嵌入式系统的高速缓存或数据缓冲器,工业自动化设备中的实时数据存储,通信设备如路由器和交换机中的临时数据存储,医疗仪器和测试设备中的高速数据采集系统,以及消费类电子产品如游戏机和高端家电控制模块。

替代型号

CY62148EVLL-10ZXC, IS61LV5128AL-10T, IDT71V416S10PFG

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