电容：6800pF
　　容差：±20%
　　额定电压：250V DC
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，±15%）
　　封装尺寸：1210（3225 公制）
　　长度：3.2mm
　　宽度：2.5mm
　　高度：典型1.6mm
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 R*C ≥ 500S（取较大者）
　　介质材料：陶瓷（Class II, BaTiO3基）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍阻挡层/锡涂层（Ni-Sn）
　　老化率：≤2.5% / decade（典型值）
　　交流测试电压：500V AC（参考）
　　电容频率特性：随频率升高电容值下降（典型X7R行为）

LNT2E682MSE所采用的X7R型陶瓷介质赋予了它出色的温度稳定性，能够在-55°C到+125°C的宽温度范围内保持电容值的变化在±15%以内，这使其非常适合在环境温度波动较大的工业和汽车应用中使用。相比其他如Y5V或Z5U等温度特性较差的陶瓷材料，X7R提供了更可靠的电性能一致性，尤其在电源去耦和中频滤波电路中表现优越。该电容器的250V直流额定电压使其能够胜任中高压应用场景，例如开关电源的输入滤波、DC-DC转换器的输出稳压以及逆变器电路中的噪声抑制。尽管其电容值仅为6.8nF，但在高频条件下仍能提供有效的阻抗降低作用，得益于其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）的结构优化设计。
　　该器件的1210（3225）封装形式在体积与功率密度之间实现了良好平衡，既保证了足够的爬电距离和电气间隙以满足250V工作电压的安全要求，又不会占用过多PCB空间，适合高密度布局。其端电极为三层电极结构（铜内电极/镍阻挡层/锡外涂层），不仅增强了焊接可靠性，还能有效防止银离子迁移，提高长期使用的稳定性。此外，该电容器经过严格的湿度敏感等级（MSL）测试，通常达到MSL 1级（不限时间暴露于车间环境），表明其对湿气不敏感，适合长期储存和多次回流焊工艺。
　　在实际应用中，LNT2E682MSE展现出良好的抗机械应力能力，减少因PCB弯曲或热膨胀导致的裂纹风险，这是高端MLCC的重要品质之一。其电容值随偏置电压的变化相对较小（但依然存在，属X7R固有特性），建议在设计时考虑直流偏压效应的影响。总体而言，这款电容器结合了高电压、适中容量、良好温漂和高可靠性的特点，是许多中高端电子系统中不可或缺的被动元件。

LNT2E682MSE广泛应用于多种需要稳定电容性能和较高耐压能力的电子系统中。在电源管理系统中，它常用于DC-DC转换器的输入和输出端进行去耦和滤波，有效抑制高频噪声并稳定电压输出。由于其250V的额定电压，该电容器也适用于工业电源模块、AC-DC整流后的滤波电路以及光伏逆变器中的中间直流链路（DC-Link）旁路应用。在通信设备中，LNT2E682MSE可用于射频模块的偏置电路耦合与去耦，以及中频信号路径中的隔直电容，凭借其较低的ESR和良好的频率响应，有助于提升信号完整性。
　　在工业自动化和控制系统中，该器件用于PLC模块、传感器接口电路和电机驱动器中的噪声抑制网络，确保控制信号的准确性。在消费类电子产品如高端电视、音响设备和电源适配器中，LNT2E682MSE被用于EMI滤波电路和电源轨的局部去耦，以满足电磁兼容性要求。此外，在汽车电子领域，尽管非AEC-Q200认证型号可能不适用于严苛车载环境，但该电容器仍可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统的非安全相关电路中。医疗设备和测试仪器中也常见此类高稳定性MLCC，用于精密模拟前端的信号调理电路。总而言之，任何需要在宽温度范围和中高压条件下保持电容稳定性的场合，LNT2E682MSE都是一个值得信赖的选择。

GRM32DR71E682KA12L
　　C3225X7R1E682K160AC
　　CL32E682KB1VUNN
　　TC3225X7R250V682M