LNT1V473MSE是一款由松下(Panasonic)公司生产的多层陶瓷电容器(MLCC)。该器件属于其高性能LNT系列,专为高稳定性和低损耗应用设计。LNT1V473MSE具有47,000pF(即47nF)的标称电容值,额定电压为35V DC,电容容差为±20%(M级)。该电容器采用X7R温度特性介电材料,确保在-55°C至+125°C的宽温度范围内电容变化不超过±15%。由于其稳定的电气性能和小型化封装,LNT1V473MSE广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子以及通信设备中的去耦、滤波和旁路电路中。
LNT1V473MSE采用标准的表面贴装技术(SMT)封装,尺寸为1210(3225公制),便于自动化贴片生产。该器件符合RoHS环保标准,并具备良好的抗湿性和可靠性,适合在严苛环境条件下长期运行。其低等效串联电阻(ESR)和低等效串联电感(ESL)特性使其在高频应用中表现出色,能够有效抑制噪声并提高系统稳定性。此外,松下的LNT系列在制造过程中采用了先进的叠层工艺和内电极设计,进一步提升了产品的机械强度与耐热循环能力,避免因温度变化导致的裂纹或失效问题。
电容:47nF
容差:±20%
额定电压:35V
温度特性:X7R
工作温度范围:-55°C ~ +125°C
封装尺寸:1210 (3225)
产品类型:多层陶瓷电容器 (MLCC)
直流偏压特性:典型
绝缘电阻:≥1000MΩ 或 C·V ≥ 10000Ω·F
介质材料:钡钛酸盐基 (X7R)
安装方式:表面贴装 (SMD)
端子类型:镍阻挡层/锡镀层
高度(最大):约1.6mm
长度:3.2mm
宽度:2.5mm
LNT1V473MSE采用松下先进的陶瓷材料技术和精密叠层工艺,具备优异的电容稳定性与可靠性。其核心特性之一是使用X7R型介电材料,这种材料在宽温度范围内(-55°C至+125°C)保持电容值变化在±15%以内,相较于Z5U或Y5V等材料具有更优的温度稳定性,适用于对电性能一致性要求较高的场合。该电容器在直流偏置下的电容衰减较小,意味着即使在接近额定电压的工作条件下,仍能维持较高的有效电容值,从而保障滤波和储能功能的稳定性。
该器件的1210封装形式在体积与性能之间实现了良好平衡,既满足了高密度PCB布局的需求,又提供了足够的爬电距离和耐压能力。其内部电极为非贵金属材料(如镍、铜等),降低了成本同时保持了良好的导电性和焊接可靠性。端电极采用双层结构设计,包含镍阻挡层和外部锡镀层,增强了抗迁移能力和可焊性,尤其适用于无铅回流焊工艺。
LNT1V473MSE还具备出色的抗机械应力能力,在PCB弯折或热胀冷缩过程中不易产生裂纹。这得益于松下独有的柔性端子结构(Flexible Terminal Structure)技术,允许一定程度的形变吸收,显著提升产品在实际应用中的耐用性。此外,该电容器具有低等效串联电阻(ESR)和低等效串联电感(ESL),使其在高频去耦和瞬态响应场景中表现优异,能快速响应电源波动,减少电压纹波。
在可靠性方面,LNT1V473MSE通过了AEC-Q200等严苛的行业认证测试,包括高温高湿偏压(THHB)、温度循环、耐焊接热等试验,确保其在恶劣环境下的长期稳定性。其绝缘电阻高,漏电流小,适用于高阻抗电路和精密模拟前端。整体而言,这款MLCC结合了高性能、高可靠性和良好的工艺兼容性,是现代电子系统中理想的通用型陶瓷电容解决方案。
LNT1V473MSE广泛应用于各类需要稳定电容性能和高可靠性的电子设备中。在电源管理系统中,常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和LDO稳压器的输入输出滤波与去耦,有效平滑电压波动并抑制高频噪声。其低ESR特性有助于降低功率损耗,提高电源效率。
在工业控制领域,该电容器可用于PLC模块、传感器信号调理电路和电机驱动器中的旁路与退耦,提升系统抗干扰能力。由于其宽温工作范围,特别适合部署在高温工业环境中。
在通信设备中,LNT1V473MSE可用于射频模块、基站电源单元和网络接口卡的局部储能与噪声抑制,保障信号完整性。此外,在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、电视和机顶盒中,它也常被用作音频放大器、摄像头模组和处理器供电路径上的滤波元件。
汽车电子是另一个重要应用方向。尽管LNT1V473MSE本身未明确标注为车规级,但其基础性能接近车载要求,可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统和辅助驾驶系统的非关键电源部分。对于追求高性价比且需兼顾稳定性的设计,该型号是一个可靠的选型方案。同时,因其符合RoHS标准且不含卤素,满足现代绿色电子产品环保要求,适用于出口型产品设计。
GRM32DR71V473KA01L
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