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IRL540S 发布时间 时间:2025/7/1 3:46:35 查看 阅读:8

IRL540S 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管(MOSFET)。这款器件采用TO-220封装,广泛应用于功率转换、电机驱动和负载切换等场景。由于其低导通电阻(Rds(on))特性,能够在高电流应用中实现高效的功率传输并减少发热。

参数

最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):78A
  导通电阻(Rds(on)):5.2mΩ(在Vgs=10V时)
  功耗(Pd):185W
  结温范围(Tj):-55℃至+175℃

特性

IRL540S具有较低的导通电阻,这使其非常适合需要高效功率传输的应用场景。此外,该器件支持逻辑电平驱动,意味着可以直接由微控制器或逻辑电路驱动而无需额外的驱动级放大电路。同时,它具备快速开关速度,有助于减少开关损耗。
  其他特性包括:
  1. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性。
  2. 热稳定性良好,能够适应较宽的工作温度范围。
  3. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

IRL540S 主要用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. 电池管理系统的负载开关。
  3. 各种电机控制应用,例如直流无刷电机(BLDC)驱动。
  4. 逆变器和UPS系统中的功率开关。
  5. 用于工业自动化设备中的电磁阀和继电器驱动。

替代型号

IRLZ44N, IRFZ44N, IRLB8721

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IRL540S参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C28A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C77 毫欧 @ 17A,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs64nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2200pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.7W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件
  • 其它名称*IRL540S