LNT1A155MSE是一款由松下(Panasonic)公司生产的多层陶瓷电容器(MLCC),主要用于电子电路中的滤波、去耦和储能等应用。该电容器采用X7R电介质材料,具有良好的温度稳定性和较高的电容值,在广泛的温度范围内能够保持稳定的电气性能。其封装尺寸为1210(3225公制),额定电压为10V DC,标称电容值为1.5μF(155表示1.5×10^5 pF),电容容差为±20%。该器件适用于多种工业、消费类及通信类电子产品中。
LNT1A155MSE属于松下LNT系列,专为高可靠性设计,具备优异的抗湿性和耐热性,适合在严苛环境条件下使用。其结构采用端电极三层构造(铜-镍-锡),增强了焊接可靠性和长期稳定性。此外,该产品符合RoHS指令要求,支持无铅回流焊工艺,广泛应用于电源管理单元、DC-DC转换器输入/输出滤波、模拟信号处理电路等领域。由于其小型化设计和高性能表现,LNT1A155MSE在现代高密度PCB布局中具有重要价值。
型号:LNT1A155MSE
制造商:Panasonic(松下)
类型:多层陶瓷电容器(MLCC)
封装尺寸:1210(3225公制)
电容值:1.5μF(155M)
容差:±20%
额定电压:10V DC
电介质材料:X7R
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
温度特性:±15%(在-55°C至+125°C内电容变化)
端电极结构:三层电极(Cu/Ni/Sn)
安装方式:表面贴装(SMD)
是否符合RoHS:是
是否含铅:无铅(可承受无铅回流焊)
电容稳定性:中等,适用于非高频大信号场合
LNT1A155MSE采用先进的多层陶瓷制造工艺,确保了在小型封装下实现较大的电容容量。其X7R电介质材料提供了在宽温度范围内(-55°C至+125°C)相对稳定的电容性能,电容值随温度的变化控制在±15%以内,适合用于对温度稳定性有一定要求但不需要极高精度的应用场景。这种材料的介电常数较高,能够在有限体积内实现微法级电容,显著优于C0G/NP0类电容器的容量密度。
该器件的1210封装(3.2mm × 2.5mm)在保证机械强度的同时,兼顾了高密度贴装需求,适用于自动化贴片生产线。其三层端电极结构(铜-镍-锡)不仅提升了与PCB焊盘之间的结合力,还有效防止了因银迁移或硫化导致的早期失效问题,提高了长期使用的可靠性。特别是在高温高湿环境中,该结构表现出优异的抗腐蚀能力。
在电气性能方面,LNT1A155MSE具有较低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),使其在DC-DC转换器的输入输出滤波中能有效抑制电压纹波和噪声。尽管其不属于高频优化型电容器,但在中低频段(通常低于10MHz)仍具备良好的去耦效果。
此外,该产品经过严格的质量控制流程,符合AEC-Q200等可靠性标准的部分测试条件,适用于工业级和汽车电子外围电路。其无铅兼容设计满足现代环保法规要求,支持峰值温度达260°C的回流焊接工艺,适应主流SMT生产线。总体而言,LNT1A155MSE是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的通用型贴片电容,特别适合批量生产和长期运行的电子设备使用。
LNT1A155MSE广泛应用于各类需要中等容量、良好温度稳定性和表面贴装特性的电子电路中。典型应用场景包括电源管理系统中的输入/输出滤波电容,尤其是在DC-DC转换器、LDO稳压器等电源模块中,用于平滑电压波动、降低输出纹波并提高系统稳定性。其1.5μF的电容值和10V额定电压适配多数3.3V或5V供电系统,能够有效应对瞬态电流变化。
在数字电路中,该电容器常被用作芯片电源引脚的去耦元件,放置于处理器、FPGA、ASIC或存储器附近,以滤除高频噪声并维持局部电源电压稳定。虽然X7R材料存在一定的直流偏压效应(即施加电压后实际电容值下降),但在低压应用中影响较小,仍可提供足够的去耦能力。
此外,LNT1A155MSE也适用于模拟信号路径中的耦合与旁路电路,如音频放大器、传感器信号调理模块等,帮助隔离直流分量并传递交流信号。在工业控制设备、通信基站、消费类电子产品(如路由器、智能家电)以及车载信息娱乐系统中均有广泛应用。
由于其具备较强的环境耐受性,该器件还可用于户外设备或工业现场仪表等可能面临温度剧烈变化或潮湿环境的应用场合。同时,其符合RoHS标准的设计使其适用于出口型电子产品和绿色制造项目。
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