ST-4ETG20K-203 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的碳化硅(SiC)MOSFET功率模块,主要应用于高效率、高频开关场景。该器件采用四开关拓扑结构,具有较低的导通电阻和快速开关特性,适用于工业电源、太阳能逆变器、电机驱动和不间断电源(UPS)等领域。
相比传统硅基功率器件,ST-4ETG20K-203利用碳化硅材料的优异性能,提供更高的工作温度范围、更小的开关损耗以及更高的系统效率。
额定电压:1200V
额定电流:20A
导通电阻(Rds(on)):8.5mΩ
开关频率:高达500kHz
封装类型:SMD表面贴装
最大结温:175°C
输入电容:100pF
总栅极电荷:80nC
反向恢复时间:无(由于SiC材料特性)
ST-4ETG20K-203 具备以下显著特性:
1. 碳化硅技术带来的低导通电阻和快速开关性能,可大幅降低开关损耗。
2. 四开关拓扑设计,支持多种功率转换架构。
3. 高达175°C的工作结温,适合高温环境下的应用。
4. 内置热敏电阻或温度监测功能,方便实现过温保护。
5. 采用先进的封装技术,确保高可靠性和散热性能。
6. 支持高频工作模式,能够减少外围元件体积和成本。
ST-4ETG20K-203 广泛应用于以下领域:
1. 工业电源转换系统,如开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。
2. 太阳能光伏逆变器中的功率转换级。
3. 电动汽车充电设备(EV充电桩)中的高效功率模块。
4. 电机驱动和伺服控制系统中的功率逆变。
5. 不间断电源(UPS)和其他高可靠性电源应用。
其高频开关特性和高效性能使得它在追求小型化和高效率的设计中尤为适用。
ST-4ETG25K-203
ST-4EG20K-203