电容值：68nF
　　容差：±20%
　　额定电压：6.3V DC
　　类别电压：63V DC
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C）
　　电容温度系数：±15% within -55°C to +125°C
　　封装尺寸：0805（2012 公制）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　电介质材料：Barium Titanate-based (X7R)
　　失效概率：≤ 0.1% at rated voltage and temperature
　　尺寸（长×宽×高）：2.0mm × 1.2mm × 1.2mm（典型）

LNR1J683MSE采用先进的多层陶瓷制造工艺，内部由多个交错的陶瓷介质层和金属电极交替堆叠而成，这种结构不仅提升了单位体积下的电容密度，还显著增强了元件的机械强度与热稳定性。
　　其X7R电介质材料确保了在宽温度范围内（-55°C 至 +125°C）电容值的变化不超过±15%，这对于需要长期稳定运行的应用至关重要，例如电源管理模块或高频信号处理电路。
　　尽管该电容器的额定直流工作电压仅为6.3V，但其标称类别电压高达63V，意味着它在瞬态过压或电压波动环境下具备更强的耐受能力，从而提高了系统的整体可靠性。
　　此外，该器件具有低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），使其在高频去耦和噪声滤波应用中表现优异，能够有效抑制电源线上的高频干扰，提升系统信噪比。
　　松下LNR系列电容器经过严格的可靠性测试，包括高温高湿偏置试验（H3TRB）、温度循环试验和耐久性寿命评估，确保产品在恶劣环境条件下仍能保持性能稳定。
　　该元件符合RoHS指令要求，不含铅和其他有害物质，适用于绿色环保电子产品设计，并兼容无铅回流焊工艺，峰值焊接温度可达260°C（每周期不超过10秒）。
　　由于其小型化封装（0805）与高性能特性的结合，LNR1J683MSE成为现代紧凑型电子设备中理想的被动元件选择，特别适合便携式设备、无线模块和精密测量仪器中的关键节点使用。

LNR1J683MSE广泛用于各类电子设备中的去耦和旁路电路，特别是在微处理器、FPGA、ASIC等数字IC的电源引脚附近，用于滤除高频噪声并稳定供电电压，防止因瞬态电流变化引起的电压波动影响系统稳定性。
　　在DC-DC转换器和LDO稳压电路中，该电容器常被用作输入和输出滤波元件，配合其他电容形成多级滤波网络，以降低纹波电压并提高电源效率。
　　此外，在模拟信号链路中，如运算放大器、ADC/DAC前后级电路中，LNR1J683MSE可用于交流耦合和噪声抑制，保障信号完整性。
　　在通信设备中，该元件适用于射频模块的偏置电路滤波和本地去耦，有助于减少串扰和电磁干扰（EMI）。
　　工业控制设备、汽车电子系统（非引擎舱）以及医疗电子设备也普遍采用此类高可靠性MLCC，满足长时间连续运行的需求。
　　由于其良好的温度稳定性和电压裕量，该电容还可用于环境温度变化较大的户外电子装置或工业传感器中，作为可靠的储能和滤波元件。

GRM21BR71H683KA01L
　　CL21A683KQANNNC
　　C2012X7R1H683K