时间：2025/4/28 20:10:11
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K9LBG08UOM-PIB0 是三星（Samsung）生产的一款NAND Flash存储芯片，采用MLC（多层单元）技术。该芯片主要应用于需要大容量数据存储的设备中，如固态硬盘（SSD）、USB闪存盘、嵌入式系统以及消费类电子产品。这款芯片具备高可靠性、低功耗和快速读写性能的特点，广泛适用于对存储密度和性能有较高要求的应用场景。
类型：NAND Flash
存储容量：8GB (64Gb)
接口：Toggle DDR 2.0
工作电压：1.8V
封装形式：TSOP
页大小：16KB
块大小：2MB
通道数：8
数据传输速率：最高可达200MT/s
擦写寿命：约3000次
工作温度范围：-40°C至+85°C
K9LBG08UOM-PIB0 具备以下关键特性：
1. 高密度存储能力，单颗芯片即可提供8GB的存储空间。
2. 支持Toggle DDR 2.0接口，显著提升数据传输效率。
3. 采用MLC技术，在成本和性能之间达到良好平衡。
4. 内置ECC（错误校验与纠正）功能，提高数据可靠性。
5. 低功耗设计，适合移动和便携式设备使用。
6. 广泛的工作温度范围，适应多种环境需求。
7. 封装紧凑，便于在小型化产品中集成。
K9LBG08UOM-PIB0 主要应用于以下领域：
1. 固态硬盘（SSD），为PC和其他计算设备提供高性能存储解决方案。
2. USB闪存盘，满足消费者对大容量外置存储的需求。
3. 嵌入式系统，例如工业控制设备和物联网终端。
4. 消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、数码相机等。
5. 网络存储设备，如NAS（网络附加存储）。
6. 数据记录设备，如行车记录仪和监控录像机。
K9LBG08UUM-MCB0, K9WBG08U5M, K9LBG08U1M
