时间：2025/6/20 13:06:20
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LNH2N65是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-247封装形式。该器件具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度等特性，适用于各种高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用场合。
这款MOSFET在设计上采用了先进的制造工艺，确保了其在高压环境下的可靠性和稳定性。由于其出色的电气性能，LNH2N65在工业控制、通信设备以及消费类电子产品中得到了广泛应用。
最大漏源电压：650V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：3.8A
导通电阻（典型值）：5.5Ω
总功耗：175W
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 高耐压能力：LNH2N65的最大漏源电压高达650V，能够满足大多数高压应用场景的需求。
2. 低导通电阻：其导通电阻仅为5.5Ω（典型值），有助于降低功率损耗并提高效率。
3. 快速开关速度：得益于较低的输入和输出电荷，LNH2N65具备快速开关能力，非常适合高频应用。
4. 稳定性强：能够在极端温度条件下正常运行，工作结温范围为-55℃至+175℃。
5. 封装形式：采用标准的TO-247封装，便于散热和安装，适合多种PCB布局需求。
6. 可靠性高：通过了严格的可靠性测试，确保在恶劣环境下也能长期稳定运行。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 逆变器
4. 电机驱动
5. 工业自动化控制
6. 通信电源
7. 消费类电子产品的功率管理模块
8. 光伏系统中的功率调节单元
IRF650, STP65NF06, FDP18N65C3
