时间：2025/8/6 4:04:57
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IXYN35N100是一款由IXYS公司制造的N沟道功率MOSFET，广泛用于高功率开关应用。这款MOSFET具有高耐压和大电流能力，适用于如电源转换、马达控制和工业自动化等场景。该器件采用TO-247封装，具有良好的散热性能，适合高频率操作。
类型：N沟道
漏极电流（ID）：35A
漏-源电压（VDS）：100V
栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约40mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247
IXYN35N100的主要特性包括：
? 高电流能力：该MOSFET可以处理高达35A的连续漏极电流，适合高功率需求的应用。
? 低导通电阻：典型值为40mΩ的RDS(on)，可以减少导通损耗，提高系统效率。
? 高耐压：漏-源电压额定值为100V，使其适用于中高功率开关应用。
? 快速开关速度：MOSFET的结构优化了开关性能，适用于高频开关环境，有助于减小电源系统的尺寸。
? 热稳定性良好：TO-247封装提供了优异的散热能力，确保在高温条件下稳定运行。
? 高可靠性：采用先进的制造工艺，提供出色的耐用性和长期稳定性。
IXYN35N100通常用于以下应用：
? 直流电源转换器（如Buck、Boost和Buck-Boost转换器）
? 电机驱动和控制电路
? 工业自动化设备和电源管理系统
? 电动车和电池管理系统
? 高频逆变器和不间断电源（UPS）
IXFN34N100, IRF3710, STP35NF10, FDP35N10
