时间：2025/4/29 16:32:29
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LND4N60是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高击穿电压的特点，能够有效提高系统的效率和稳定性。
这款MOSFET的工作电压范围较宽，最大耐压为600V，同时具备快速开关速度和较低的栅极电荷，非常适合于需要高效能和高可靠性的电路设计。
最大漏源电压：600V
最大漏电流：4A
导通电阻：3.5Ω
栅极阈值电压：4V
工作温度范围：-55℃至175℃
总栅极电荷：35nC
LND4N60的主要特性包括：
1. 高击穿电压：600V，适用于高压应用环境。
2. 低导通电阻：在典型工作条件下，导通电阻仅为3.5Ω，有助于降低功率损耗。
3. 快速开关性能：总栅极电荷小，能够实现快速开关，减少开关损耗。
4. 宽工作温度范围：从-55℃到175℃，适应极端温度条件下的使用需求。
5. 稳定性高：具备良好的热稳定性和电气特性，确保长时间运行的可靠性。
6. 小封装尺寸：适合紧凑型设计，方便布局与安装。
LND4N60广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于AC-DC和DC-DC转换器中，提供高效的功率转换。
2. 逆变器：在光伏逆变器和其他类型的逆变器中作为开关元件。
3. 电机驱动：控制直流无刷电机或其他电机的启动、停止和调速。
4. 负载开关：用于保护电路免受过流或短路的影响。
5. PFC电路：在功率因数校正电路中提升系统效率。
FQA4N60,
IRF840,
STP4NB60,
IXYS4N60E
