晶体管类型：NPN型
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：15V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　过渡频率（fT）：10GHz
　　噪声系数（NF）：0.8dB（典型值）
　　增益（hFE）：60-250（根据工作电流不同）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

LNB8303DT0AG具有优异的高频性能，其过渡频率（fT）高达10GHz，使其适用于高频放大电路。该晶体管的噪声系数低至0.8dB，特别适合用于低噪声放大器（LNA），能够有效提升接收机的灵敏度。此外，LNB8303DT0AG的增益范围较宽，从60到250不等，可以根据不同的工作电流进行调整，适应多种射频放大需求。
　　该器件采用了SOT-23小型封装，节省电路板空间，同时具备良好的热稳定性和可靠性，适用于各种便携式和高性能射频设备。LNB8303DT0AG的直流电流增益（hFE）在不同工作条件下表现出良好的稳定性，确保了电路设计的灵活性和一致性。
　　此晶体管还具有较强的温度耐受能力，能够在-55°C至+150°C的范围内稳定工作，适合工业级和车载应用。其最大集电极电流为100mA，最大集电极-发射极电压为15V，适用于中等功率的射频放大场景。

LNB8303DT0AG广泛应用于无线通信系统中的射频前端模块，包括低噪声放大器（LNA）、功率放大器（PA）的前级放大、无线基站、移动电话基站、卫星通信系统和宽带射频设备。此外，该晶体管也常用于射频测试仪器、无线传感器网络和物联网（IoT）设备中的信号放大电路。由于其高增益和低噪声特性，LNB8303DT0AG非常适合用于提高接收信号的质量和稳定性，特别是在需要高灵敏度的无线接收系统中。

BFQ59, BFG21, BFR181