时间：2025/9/13 21:43:52
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BUK7S2R5-40HJ是一款由NXP（恩智浦）半导体公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用TISON（小尺寸工业塑封）封装。这款MOSFET专为高电流和高效率应用设计，适用于各种电源管理和开关应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（40V）以及优异的热性能，能够在高温环境下稳定工作。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：160A
最大漏-源电压（Vds）：40V
最大栅-源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TISON
功率耗散（Ptot）：150W（最大值）
BUK7S2R5-40HJ的主要特性之一是其极低的导通电阻，典型值为2.5mΩ，这使其在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。此外，该器件的最大漏极电流高达160A，适合用于高功率密度应用。
其40V的漏-源耐压能力使其适用于多种中低压电源转换系统，如DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统和负载开关等。栅-源电压范围为±20V，允许在较宽的控制电压范围内稳定工作。
该MOSFET采用TISON封装，具有良好的热管理和空间节省特性，适合在空间受限的环境中使用。同时，其宽工作温度范围（-55°C至175°C）确保了在高温或恶劣环境下依然能够可靠运行。
内置的雪崩能量保护功能增强了器件的鲁棒性，使其在突发性高能量冲击下仍能保持正常工作，提升了整体系统的稳定性与可靠性。
BUK7S2R5-40HJ广泛应用于各种高功率、高效率的电子系统中。例如，在汽车电子领域，它可用于电池管理系统、电动助力转向系统和车载充电器等；在工业自动化中，可用于电机驱动和负载开关控制；在电源管理方面，适用于高效率DC-DC转换器、同步整流器和电源分配系统；此外，该器件还可用于太阳能逆变器、储能系统以及大功率LED照明控制等新兴应用领域。
SiR142DP-T1-GE3, IPB045N04N, FDS4410, BSC022N04LS
