类型：双向TVS
　　工作电压：10V
　　最大反向关态电压（VRWM）：10V
　　击穿电压（VBR）：11.1V（最小值）至12.3V（最大值）
　　钳位电压（VC）：18.2V（最大值，Ipp = 1A）
　　峰值脉冲电流（Ipp）：1A
　　响应时间（tRESP）：小于1纳秒
　　封装形式：SOD-323
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

LN90N10D2 采用先进的硅雪崩技术，提供快速响应时间和优异的瞬态电压保护性能。其双向设计使其适用于正负电压保护，非常适合用于保护差分信号线路或交流电源线路。该器件具有较低的击穿电压公差，可确保在额定电压下精确触发，从而为被保护电路提供更可靠的保护。
　　此外，LN90N10D2 的 SOD-323 封装结构非常紧凑，适合在空间受限的 PCB 设计中使用。其低钳位电压确保在发生瞬态过电压时对后级电路的影响最小，从而防止损坏敏感的半导体元件。该 TVS 器件还具有较高的能量吸收能力，能够在短时间内承受较大的瞬态电流而不损坏。
　　另一个显著优势是其出色的可靠性，LN90N10D2 经过严格的测试和验证，符合 IEC 61000-4-2 等国际标准，适用于需要高电磁兼容性（EMC）要求的应用场景。

LN90N10D2 广泛应用于便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）的接口保护，例如 USB、HDMI 和音频插孔等。此外，它也常用于工业自动化系统、通信设备（如路由器和交换机）、消费类电子产品以及汽车电子模块中，以增强系统的稳定性和可靠性。该器件特别适用于需要双向保护的应用场合，如 RS-485 接口和以太网物理层接口。

SMF10A、SMBJ10CA、PESD5V0S1BA