时间：2025/8/13 3:34:13
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LN7612DT1WG是一款由Lontek（蓝科电子）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高效率的特性。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统中。LN7612DT1WG采用DFN5x6封装，具有良好的散热性能，适用于高电流和高频率应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：120V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：80A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：12mΩ（最大值，典型值可能更低）
功耗（Pd）：160W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：DFN5x6
LN7612DT1WG采用先进的沟槽式MOSFET技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。该器件的低Rds(on)特性使其在高电流应用中表现出色，能够有效降低发热，提高系统的稳定性和可靠性。此外，该器件的封装设计优化了热管理，使得在没有额外散热片的情况下也能处理高功率需求。
其高栅极电压容限（±20V）增强了器件在高频开关应用中的抗干扰能力，减少了栅极击穿的风险。LN7612DT1WG的快速开关特性使其适用于高频率开关电路，如同步整流、DC-DC转换器等，能够有效提高开关效率并减少能量损耗。
此外，该器件具有优异的雪崩能量耐受能力，能够在负载突变或短路等异常情况下提供更好的保护，延长器件的使用寿命。
LN7612DT1WG广泛应用于多种功率电子系统中，尤其是在需要高效率和高电流处理能力的场合。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动器、电源管理单元、电池充电与管理系统（如BMS）以及负载开关电路。由于其良好的热性能和高可靠性，LN7612DT1WG也常用于工业自动化设备、电动汽车（EV）相关电源系统、太阳能逆变器和UPS不间断电源系统等高端应用领域。
SiHF60N120E、FDP80N120、IXFN80N120
