您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > L8550PLT1G

L8550PLT1G 发布时间 时间:2025/8/14 16:51:56 查看 阅读:25

L8550PLT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)制造的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 型晶体管。该晶体管主要用于低电压和中等功率的应用,例如电源管理、开关电路和放大电路。L8550PLT1G 采用 SOT-23 封装,具有小型化和轻量化的优点,非常适合在空间受限的电路设计中使用。该器件在工业、消费类电子产品和汽车电子中都有广泛的应用。

参数

类型:NPN 双极型晶体管
  最大集电极电流:100mA
  最大集电极-发射极电压:30V
  最大基极电流:5mA
  最大耗散功率:300mW
  增益带宽积:100MHz
  电流增益(hFE):110-800(根据档位)
  封装类型:SOT-23

特性

L8550PLT1G 具有优异的电性能和稳定的可靠性,其主要特性包括高电流增益(hFE),确保了在放大电路中的高效性能。
  此外,该晶体管具有较低的饱和压降,有助于减少功率损耗,提高电路的效率。
  该器件的最大工作频率可达 100MHz,适用于中高频的开关和放大应用。
  其 SOT-23 小型封装不仅节省空间,还便于自动化装配,提高了生产效率。
  该晶体管具有良好的热稳定性和过载保护能力,能够在较宽的温度范围内稳定工作。
  另外,L8550PLT1G 符合 RoHS 环保标准,适合绿色环保电子产品设计。

应用

L8550PLT1G 主要用于低功率开关电路和信号放大电路,例如在便携式电子设备、LED 驱动电路、传感器接口电路中。
  它也常用于数字电路中的晶体管-晶体管逻辑(TTL)电路或作为 MOSFET 的驱动器。
  在通信设备中,该晶体管可用于射频(RF)前端模块的低噪声放大器设计。
  此外,L8550PLT1G 还可用于电池供电设备中的电源管理电路,例如负载开关或电压调节电路。
  由于其小型化封装和高性能特性,该晶体管也广泛应用于汽车电子系统,例如车载娱乐系统、车身控制模块和仪表盘电路。

替代型号

BC847 NPN, 2N3904, MMBT3904, 2N2222A

L8550PLT1G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价