时间：2025/8/13 7:57:38
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LN7342DT1WG 是一款由 LRC（乐山无线电股份有限公司）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高频率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供了优异的导通特性和热稳定性，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、电池管理系统以及负载开关等应用场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大 4.5mΩ（在 VGS=10V 时）
功率耗散（PD）：125W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
LN7342DT1WG 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），从而显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其最大漏极电流可达 60A，适用于高电流负载应用。该器件的漏源电压为 30V，能够在中低压电源转换系统中稳定工作。
该 MOSFET 具有良好的热性能，TO-252 封装能够有效散热，确保在高功率运行时的可靠性。栅极驱动电压范围宽，支持标准逻辑电平驱动（5V~10V），便于与各种控制电路配合使用。此外，LN7342DT1WG 具备良好的抗雪崩能力，增强了器件在高压瞬态环境下的耐用性。
由于其优异的电气性能和封装散热设计，LN7342DT1WG 能够在高频率开关条件下保持稳定工作，适用于各类高效率电源转换系统。
LN7342DT1WG 主要用于需要高电流和低导通损耗的电源管理应用，如同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及电源适配器等。该器件也广泛应用于服务器、通信设备、工业自动化控制系统和消费类电子产品中的功率管理模块。
Si7342DP-T1-GE3, FDS6680, IRF7342, AO4406
