时间：2025/8/13 11:06:44
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LN7310DT1WG-HW 是一款由 LRC（乐山无线电）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性。该封装形式为 TO-252（DPAK），适用于表面贴装工艺，广泛用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器、负载开关等高功率应用中。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：8A（连续）
导通电阻（RDS(on)）：0.015Ω @ VGS=10V
阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V @ ID=250μA
功耗（PD）：60W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：TO-252（DPAK）
LN7310DT1WG-HW 具备多项优良特性，适用于高性能功率电子系统。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，适用于高电流负载场景。其次，该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提升了开关速度，从而降低了开关损耗，适合用于高频开关电源和 DC-DC 转换器。此外，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽（±20V），允许使用多种栅极驱动器进行控制，增强了设计灵活性。
在热管理方面，TO-252 封装具备良好的散热性能，可在较高功率下保持稳定工作温度。该器件还具备良好的抗雪崩能力，可在异常工作条件下提供更高的可靠性。此外，其较高的阈值电压（1.0V~2.5V）使得该器件不易受到噪声干扰，提高了系统稳定性。
该 MOSFET 的封装形式适合表面贴装技术（SMT），便于自动化生产，降低制造成本，并且适用于紧凑型 PCB 设计。其广泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）使其能够在各种恶劣环境下稳定运行，如汽车电子、工业控制和消费类电源设备。
LN7310DT1WG-HW 常用于需要高效能和高稳定性的功率控制电路中。典型应用包括同步整流、DC-DC 升压/降压转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电源适配器以及各类电源管理模块。在汽车电子领域，该器件可用于车载电源系统、LED 驱动器以及电动工具等应用。由于其优异的导通性能和良好的热稳定性，也常用于需要高效率和低损耗的开关电源和逆变器系统。
IRFZ44N, STP80NF55, FDP80N10, SI7456DP
