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LN7150PR-G 发布时间 时间:2025/12/23 9:04:35 查看 阅读:20

LN7150PR-G 是一款高性能的 N 治安道功率晶体管,适用于高频、高功率射频应用。该器件采用了先进的半导体工艺技术,能够提供卓越的增益和效率性能,同时具备低噪声特性和出色的线性度。LN7150PR-G 主要用于无线通信系统中的功率放大器设计,支持多种通信标准和协议。
  其封装形式为 TO-263,这种封装有助于提高散热性能,并便于在电路板上的安装和集成。LN7150PR-G 广泛应用于基站、中继器、工业设备以及军事通信领域。

参数

集电极最大电流:12A
  击穿电压:60V
  功率增益:18dB
  工作频率范围:30MHz 至 300MHz
  最大耗散功率:40W
  特征频率(fT):250MHz
  热阻(壳到环境):2°C/W
  封装形式:TO-263

特性

LN7150PR-G 的主要特性包括高输出功率能力、高效率和高增益,使其成为射频功率放大器的理想选择。此外,该晶体管具有较低的热阻,可以有效降低运行温度并延长使用寿命。它还具备良好的线性度和稳定性,在各种负载条件下均能保持稳定的性能表现。
  该器件的高频性能优越,能够在较宽的工作频率范围内提供一致的增益和效率。此外,其低噪声系数也有助于提高系统的整体信号质量。为了确保可靠性,LN7150PR-G 经过了严格的测试和筛选过程,以满足严苛的应用环境要求。

应用

LN7150PR-G 广泛应用于射频功率放大器的设计中,尤其适合需要高功率输出和高效率的场景。典型应用包括:
  1. 无线通信基站中的功率放大器模块;
  2. 中继器和直放站中的射频功率放大器;
  3. 工业、科学和医疗(ISM)领域的高功率射频设备;
  4. 军事通信系统中的高可靠性功率放大器;
  5. 测试与测量设备中的射频信号源;
  6. 航空航天和卫星通信中的功率放大器组件。

替代型号

LN7150HR-G, LN7150FR-G

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