时间：2025/6/26 19:46:21
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LN6206P282PR 是一款高性能的 N 沃特 (N-Channel) 场效应晶体管 (MOSFET)，主要应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
该型号属于 Logic Level MOSFET，其栅极阈值电压较低，适合由微控制器或逻辑电路直接驱动，而无需额外的驱动级电路。LN6206P282PR 通常以表面贴装形式封装，便于在高密度 PCB 设计中使用。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：17A
导通电阻（Rds(on)）：2.8mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：39nC（典型值）
开关时间：开启延迟时间 14ns，关断下降时间 8ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263-3
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可减少功率损耗并提升效率。
2. 快速开关性能，支持高频应用。
3. 较低的栅极驱动电压要求，适合逻辑电平直接驱动。
4. 高雪崩能力，增强系统的可靠性。
5. 工作温度范围广，适用于极端环境下的设计。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流和降压/升压转换。
2. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
3. 直流电机驱动和电磁阀控制。
4. LED 照明驱动器。
5. 可再生能源设备中的功率转换模块。
6. 工业自动化和消费类电子产品中的高效功率管理解决方案。
IRLZ44N, AO3400, FDP5500
