时间：2025/7/12 16:36:47
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LN61CN3002MR-G 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于广泛的开关和调节应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，能够满足高效能电源设计的需求。
这种 MOSFET 器件通常被用于 DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关以及其他需要高效功率切换的应用场景。
型号：LN61CN3002MR-G
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：TO-252 (DPAK)
Vds（漏源电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：2.4mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
Id（连续漏极电流）：84A
Vgs（栅源电压）：±20V
输入电容(Ciss)：1590pF
总功耗(Ptot)：140W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
栅极电荷(Qg)：54nC
LN61CN3002MR-G 提供了卓越的性能和可靠性：
1. 极低的导通电阻确保了更高的效率和更低的功率损耗。
2. 高额定电流允许其在大功率应用场景中稳定运行。
3. 优化的栅极电荷设计减少了开关损耗，提升了动态性能。
4. 采用 TO-252 封装，具备良好的散热性能和紧凑的设计，适合表面贴装技术(SMT)。
5. 工作温度范围宽广，适应各种严苛环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
这款功率 MOSFET 在多个领域中表现出色：
1. 开关模式电源(SMPS)，如适配器、充电器等。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 各类 DC-DC 转换器模块。
4. 汽车电子中的负载开关和保护电路。
5. 大功率 LED 照明驱动。
6. 通信设备中的功率管理单元。
LN61CN3002MR, IRF3708PBF, FDP15N30E
