时间：2025/9/4 1:03:45
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IRFP3468是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Infineon Technologies生产。该器件广泛应用于各种高功率和高频率的电子电路中，如电源转换、马达控制和负载开关等。IRFP3468以其高效率和低导通电阻而闻名，能够在高电流条件下提供出色的性能。其封装形式为TO-220，便于散热并适合工业级应用。
类型：N沟道
漏极电流（Id）：180A
漏极-源极击穿电压（Vds）：60V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大4.7mΩ（典型值3.7mΩ）
功耗（Pd）：250W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装：TO-220
IRFP3468的主要特性包括低导通电阻，可显著减少导通损耗，提高系统效率。其高电流承载能力（180A）使其非常适合用于高功率应用，如DC-DC转换器、电机驱动器和电池充电器。此外，该器件具有优良的热性能，能够有效散热，确保在高负载条件下的稳定运行。IRFP3468的快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。其栅极驱动电压范围宽（±20V），增强了设计的灵活性。此外，该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，能够在极端工作条件下提供可靠的保护。
IRFP3468常用于各种高功率和高频率的应用场景，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制器、负载开关、电池管理系统（BMS）和工业自动化设备。其低导通电阻和高电流能力使其成为需要高效能功率开关的理想选择。此外，该器件还适用于汽车电子系统，如电动车辆的逆变器和充电系统。
IRFP3470, IRFP3486, IRFP3487
